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紫光闪存封测实现重大突破,长江存储蓄势待发!|半导体行业观察

By 给我一刀 •  2019-01-08 13:02 •  5次点击 短消息

昨日,紫光集团旗下紫光宏茂微电子(上海)有限公司发布信息,宣布公司成功实现大容量企业级3D NAND芯片封测的规模量产。他们表示,这次公告标志着内资封测产业在3D NAND先进封装测试技术实现从无到有的重大突破,也为紫光集团完整存储器产业链布局落下关键一步棋。

众所周知,存储产业一直是本土集成电路产业的“芯病”所在,因为涨价和缺货,这个控制在美日韩手里的产品在过去两年让国内下游的终端厂商“痛不欲生”。为了实现中国存储自主可控的目的,紫光集团在过去几年内一直投资建设国内存储基地,打造从“芯”到“云”的产业链,这次在封测的突破也让国产存储更进一步。

打造完整产业链,芯片先行

要做存储,首先想要做存储芯片。为了实现这个目标,紫光集团旗下的长江存储科技有限责任公司于2016年八月在湖北武汉正式宣告成立。

据当时的资料介绍,这家整合的武汉新芯技术和资源的企业将会在后者现有的12英寸产线和工艺上,引入更多资金和专家,打造中国本土的3D NAND Flash芯片。

在2017年年初,时任长江存储执行董事、代行董事长,台湾DRAM教父高启全在接受Digitimes采访的时候提到,公司将于2017年底提供自主研发的32层3D NAND的样本,之后会从事64层技术的研发。他还强调,等待该技术成熟后,长江存储才会投入3D NAND量产,届时与三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)等国际大厂的技术差距会缩短至一代左右。高启全进一步指出,长江存储也考虑自己开发DRAM技术,可能的切入点是18/20纳米制程,无论是3D NAND或是DRAM,一定要自己掌握核心技术。

从后续的进展看来,长江存储似乎也相当顺利。

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